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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：山东师范大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 采用SiO2／Si系扩镓提高扩散质量和器件性能的研究 期刊论文 1995, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 235-240 作者:  刘秀喜;  赵富贤;  等 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/28 扩散  二氧化硅  硅  镓  半导体器件   先氧化后扩镓工艺提高扩散质量的分析 期刊论文 1987, 期号: 2, 页码: 57-60 作者:  刘秀喜;  赵富贤;  斐素华;  李萍 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 腐蚀坑  硅表面  薄层电阻  金属杂质  结深  石英管  氧化层厚度  蒸汽压  表面复合  产品合格率