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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Unipolar resistive switching of Au+-implanted ZrO2 films 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2009, 卷号: Vol.30 No.4, 页码: 042001 作者:  Guan Weihua;  Liu Ming;  Long Shibing;  Liu Qi;  Zhang Sen 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM 期刊论文 Journal of Physics. D: Applied Physics, 2009, 卷号: Vol.42 No.5, 页码: 55112-55115 作者:  Shibing Long;  Qi Liu;  Sen Zhang;  Qin Wang and Ming Liu;  Weihua Guan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Aluminum  Manganese  compounds  Metal  insulator  boundaries  Platinum  Random  access  storage  Structural  metals  Switching  systems   Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM. 期刊论文 Journal of Physics: D Applied Physics, 2009, 卷号: Vol.42 No.5, 页码: 055112 作者:  Shibing Long;  Qi Liu;  Sen Zhang;  Ming Liu;  Qin Wang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 Resistance random access semiconductor memories   Resistive switching memory effect of Zr O 2 films with Zr + implanted 期刊论文 Applied Physics Letters, 2008, 卷号: Vol.92 No.1, 页码: 012117 作者:  Shibing Long;  Qi Liu;  Rui Jia;  Junning Chen;  Ming Liu 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 Magnetization  reversals  Gold  Electrical  resistivity  Electrodes  Current  density   Resistive switching memory effect of ZrO2 films with Zr+ implanted. 期刊论文 Applied Physics Letters, 2008, 卷号: Vol.92 No.1, 页码: N.PAG 作者:  Chen,Junning;  Liu,Ming;  Guan,Weihua;  Liu,Qi;  Long,Shibing 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/22 METALLIC  films  ION  implantation  SPACE  charge  IONS  ELECTRON  beams  MATHEMATICAL  models   Resistance switching of Au-implanted-ZrO2 film for nonvolatile memory application 期刊论文 J. Appl. Phys, 2008, 卷号: Vol.104 No.11, 页码: 114514 作者:  Chen,Junning;  Liu,Ming;  Guan,Weihua;  Wang,Qin;  Liu,Qi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 gold  hopping  conduction  insulating  thin  films  ion  implantation  random-access  storage  switching  zirconium  compounds   Resistance switching of Au-imp!anted-ZrO_2 film for nonvolatile memory application 期刊论文 Journal of Applied Physics, 2008, 卷号: No.11, 页码: 1024-1028 作者:  Shibing Long;  Qi Liu;  Sen Zhang;  Junning Chen;  Ming Liu 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/24