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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：安徽大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Potential solution-induced HfAlO dielectrics and their applications in low-voltage-operating transistors and high-gain inverters 期刊论文 RSC ADVANCES, 2018, 卷号: Vol.8 No.64, 页码: 36584-36595 作者:  Chen, Xiaoshuang;  Li, Wendong;  He, Gang;  Zhang, Miao;  Sun, Zhaoqi 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/24 Potential solution-induced HfAlO dielectrics and their applications in low-voltage-operating transistors and high-gain inverters 期刊论文 RSC Advances, 2018, 卷号: Vol.8 No.64, 页码: 36584-36595 作者:  Chen, Xiaoshuang;  Li, Wendong;  He, Gang;  Zhang, Miao;  Sun, Zhaoqi 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Baking-temperature-modulated optical and electrical properties of HfTiOx gate dielectrics via sol-gel method 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: Vol.688, 页码: 925-932 作者:  Jin,P.;  Zhang,M.;  Xiao,D. Q.;  Chen,X. S.;  Wang,P. H. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/04/22 HFO2 THIN-FILMS  INTERFACIAL PROPERTIES  STACKS  MICROSTRUCTURE  DEPENDENCE  TI   Cholesteric liquid crystals with an electrically controllable reflection bandwidth based on ionic polymer networks and chiral ions 期刊论文 Journal Of Materials Chemistry C, 2015, 卷号: Vol.3 No.21, 页码: 5406-5411 作者:  Juntao Hu;  Guobing Zhang;  Longzhen Qiu;  Jiaxiang Yang;  Jinliang Hu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/24 Annealing temperature dependence on the structural and optical properties of sputtering-grown high-k HfO2 gate dielectrics 期刊论文 Journal of Materials Science. Materials in Electronics, 2014, 卷号: Vol.25 No.9, 页码: 4163-4169 作者:  G. He;  M. Liu;  J. W. Zhang;  X. F. Chen;  Z. Q. Sun 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/22 Interfacial thermal stability and band alignment of Al2O3/HfO2/Al2O3/Si gate stacks grown by atomic layer deposition 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2014, 卷号: Vol.591, 页码: 240-246 作者:  Wei,H.H.;  Sun,Z.Q.;  Cui,J.B.;  Zhang,M.;  Chen,H.S. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/24 High-k  gate  dielectrics  Annealing  temperature  X-ray  photoelectron  Spectroscopy  Band  alignment   Interface control and modification of band alignment and electrical properties of HfTiO/GaAs gate stacks by nitrogen incorporation 期刊论文 Journal of Materials Chemistry C, 2014, 卷号: Vol.2 No.27, 页码: 5299-5308 作者:  Chen, H.;  He, G.;  Liu, J.;  Zhang, L.;  Liu, M. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/24 妥协与叛逆：《金粉世家》、《啼笑因缘》的女性形象对比分析 期刊论文 安徽文学(下半月), 2011, 卷号: 第5期, 页码: 130-132 作者:  张蔚天 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/04/18 妥协  叛逆   存在主义式的悲剧诉说：方方小说论 学位论文 : 安徽大学, 0000 作者:  张蔚天 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/24 方方  悲剧性写作  存在主义意识  温情的人道主义精神