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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：上海大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 纳米尺寸高k /Si_(1-x)Ge)x NMOS场效应管性能的数值模拟研究 期刊论文 人工晶体学报, 2015, 卷号: 44, 页码: 3656-3665 作者:  刘旭焱[1];  刘赐德[2];  屈重年[3];  海静[4];  卢志文[5] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/30 硅锗合金  高介电常数  阈值电压  数值模拟