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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：华南理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 刻蚀深度对GaN基微尺寸LED芯片RC特性的影响 期刊论文 《发光学报》, 2018, 卷号: 39, 页码: 1297-1304 作者:  杨倬波[1] 黄华茂[1,2] 施伟[1];  王洪[1,2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/22 深刻蚀隔离槽  微尺寸LED芯片  电容 RC常数   一种微米尺寸倒装LED芯片及其制备方法 专利 作者:  黄华茂;  王洪;  杨倬波;  陈迪涛;  梁思炜 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2019/04/10