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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Trace elements of cloud water in an acid rain region in southern China 会议论文 作者:  Lei Sun;  Yan Wang;  Taixing Yue;  Lingren Jin 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 Trace element  long-range transport  southern China   808nm无Al量子阱激光器mini阵列的研制 期刊论文 半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 12 作者:  王翎;  李沛旭;  房玉锁;  汤庆敏;  张新 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23 半导体激光器mini阵列  应变量子阱  金属有机化合物化学气相淀积   MOCVD growth of A1GaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high power applications 期刊论文 中国光学快报：英文版, 2009, 期号: 06 作者:  李沛旭[1,2];  王翎[2];  李树强[1,2];  夏伟[1,2];  张新[2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 MOCVD生长  量子阱激光器  激光器结构  不对称  金属有机物化学气相沉积  熔覆  高功率  应用   MOCVD growth of AlGaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high power applications 期刊论文 Chinese Optics Letters, 2009, 期号: 06, 页码: 489-491 作者:  Li PX(李沛旭);  Wang L(王翎);  Li SQ(李树强);  Xia W(夏伟);  Zhang X(张新) 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 MOCVD growth of AlGaInP/GaInP quantum well laser diode with asymmetric cladding structure for high power applications  well  high   MOCVD GROWTH OF ALGAINP/GAINP QUANTUM WELL LASER DIODE WITH ASYMMETRIC CLADDING STRUCTURE FOR HIGH POWER APPLICATIONS 期刊论文 中国光学快报（英文版）, 2009, 期号: 6, 页码: 489-491 作者:  Li PX(李沛旭);  Wang L(王翎);  Li SQ(李树强);  Xia W(夏伟);  Zhang X(张新) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器 期刊论文 人工晶体学报, 2006, 卷号: 35, 期号: 6, 页码: 1247-1250 作者:  夏伟;  王翎;  李树强;  张新;  马德营 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/03 低阈值电流  650nm激光器