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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系 期刊论文 半导体学报, 2001, 期号: 07 丁勇; 赵福川; 毛友德; 夏冠群; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/29 旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2001, 期号: 03 丁勇; 毛友德; 夏冠群; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  旁栅距  碰撞电离   EL2能级对GaAs MESFET夹断电压的影响 期刊论文 半导体杂志, 2000, 期号: 03 毛友德; 顾成余; 丁勇; 宁王君; 夏冠群; 赵建龙; 赵福川 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/03/29 GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 期刊论文 半导体杂志, 2000, 期号: 01 宁珺; 丁勇; 夏冠群; 赵福川; 毛友德; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  光敏特性  迟滞现象  深能级   旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡 期刊论文 半导体学报, 2000, 期号: 12 丁勇; 赵福川; 毛友德; 夏冠群; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/03/29 GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响 期刊论文 半导体技术, 2000, 期号: 04 丁勇; 赵福川; 毛友德; 夏冠群; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  漏源电压  交换源漏  EL_2碰撞电离   GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象 期刊论文 微电子技术, 2000, 期号: 02 宁珺; 丁勇; 毛友德; 夏冠群; 赵福川; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  光敏特征  迟滞现象  深能级