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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410707178.X, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2016-06-22
作者: 钟汇才 ; 罗军; 赵超; 朱慧珑
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| 鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410827222.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-20
作者: 钟汇才; 罗军; 赵超; 朱慧珑
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410748850.X, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2016-07-06
作者: 钟汇才; 赵超; 朱慧珑
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210473969.1, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-06-04
作者: 钟汇才; 崔虎山; 赵超
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210475191.8, 申请日期: 2018-02-13, 公开日期: 2014-06-04
作者: 崔虎山; 钟汇才; 赵超
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| Negative differential resistance effect induced by metal ion implantation in SiO2 film for multilevel RRAM application 期刊论文
Nanotechnology, 2018
作者: Wu FC(伍法才); shuyao Si; Shi T(时拓); Zhao XL(赵晓龙); Liu Q(刘琦)
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201210475097.2, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2014-06-04
作者: 崔虎山; 钟汇才; 项金娟; 赵超
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2018/04/25 |
| FinFETs on Insulator with Silicided Source/Drain 会议论文
作者: Zhu HL(朱慧珑); Zhao C(赵超); Yin HX(殷华湘); Zhong HC(钟汇才); Zhang QZ(张青竹)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2018/07/26 |
| Improvement of Device Reliability by Introducing a BEOL-Compatible TiN Barrier Layer in CBRAM 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者: Cao RR(曹荣荣); Liu M(刘明); Long SB(龙世兵); Lv HB(吕杭炳); Wang Y(王艳)
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2018/07/12 |
| 基于六角氮化硼二维薄膜的忆阻器 期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2017
作者: 吴全潭; 时拓; 赵晓龙; 张续猛; 伍法才
收藏 | 浏览/下载：26/0 | 提交时间：2018/07/12 |
