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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total ionizing radiation-induced read bit-errors in toggle magnetoresistive random-access memory devices 期刊论文 Chin. Phys. B, 2017 作者:  Luo JJ(罗家俊);  Li B(李博);  Gao T(高腾);  Yang L(杨玲);  Cui Y(崔岩) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2018/05/16 pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2017 作者:  Zhao C(赵超);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Liu JB(刘金彪);  Yang T(杨涛) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/07/05 FOI FinFET with Ultra-low Parasitic Resistance Enabled by Fully Metallic Source and Drain Formation on Isolated Bulk-Fin 会议论文 作者:  Wu ZH(吴振华);  Luo J(罗军);  Meng LK(孟令款);  Zhang QZ(张青竹);  Li YD(李昱东) 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/19 Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs 期刊论文 ECS Transactions, 2016 作者:  Yin HX(殷华湘);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Qin ZL(秦长亮);  Cui HS(崔虎山) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/05/09 Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology 期刊论文 Vacuum, 2015 作者:  Cui HS(崔虎山);  Luo J(罗军);  Xu J(许静);  Gao JF(高建峰);  Xiang JJ(项金娟) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/05/31 Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology 期刊论文 Solid-State Electronics, 2014 作者:  Li JF(李俊峰);  Wang GL(王桂磊);  Luo J(罗军);  Guo YL(郭奕栾);  Chen T(陈韬) 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/04/24 SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond 期刊论文 The Electrochemical Society, 2014 作者:  Xu Q(徐强);  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Luo J(罗军);  Li CL(李春龙) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/04/24