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| Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies 期刊论文
Microelectronic Engineering, 2018
作者: Mao SJ(毛淑娟) ; Wang GL(王桂磊); Xu J(许静); Zhang D(张丹); Luo X(罗雪)
  收藏 | 浏览/下载：48/0 | 提交时间：2019/05/05
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| Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface 期刊论文
IEEE Electron Device Letter, 2018
作者: Zhao C(赵超); Ye TC(叶甜春); Yang H(杨红); Tang B(唐波); Xu H(徐昊)
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| Impact of Ge Preamorphization Implantation on Both the Formation of Ultrathin TiSix and the Specific Contact Resistivity in TiSix/n-Si Contacts 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018
作者: Ye TC(叶甜春); Mao SJ(毛淑娟); Wang GL(王桂磊); Xu J(许静); Luo X(罗雪)
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2019/05/05 |
| Switching of Exchange-Coupled Perpendicularly Magnetized Layers Under Spin-Orbit Torque 期刊论文
IEEE Transactions on Magnetics, 2018
作者: Ye TC(叶甜春); Wang SM(王素梅); Yang MY(杨美音); Luo J(罗军); Zhao C(赵超)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| Enhancing the thermal stability of NiGe by prior-germanidation fluorine implantation into Ge substrate 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者: Zhang D(张丹); Wang WW(王文武); Chen DP(陈大鹏); Li JF(李俊峰); Liu S(刘实)
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGe x on both n-and p-Ge substrate 期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者: Liu S(刘实); Li JF(李俊峰); Wang WW(王文武); Chen DP(陈大鹏); Zhao C(赵超)
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| On the manifestation ofGe Pre-amorphization Implantation (PAI) in forming ultrathin TiSix for Ti direct contact on Si in sub-16/14 nm Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology nodes 期刊论文
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017
作者: Wang GL(王桂磊); Li JF(李俊峰); Zhao C(赵超); Ye TC(叶甜春); Chen DP(陈大鹏)
收藏 | 浏览/下载：55/0 | 提交时间：2018/06/08 |
| pMOSFETs Featuring ALD W Filling Metal Using SiH4 and B2H6 Precursors in 22 nm Node CMOS Technology 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者: Zhao C(赵超); Wang GL(王桂磊); Luo J(罗军); Liu JB(刘金彪); Yang T(杨涛)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/07/05 |
| Physically Based Evaluation of Effect of Buried Oxide on Surface Roughness Scattering Limited Hole Mobility in Ultrathin GeOI MOSFET 期刊论文
IEEE Transactrions on Elelctron Diveces, 2017
作者: Wang SK(王盛凯); Han K(韩楷); Wang WW(王文武); Ye TC(叶甜春); Zhao C(赵超)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2018/07/09 |
| Integration of Highly Strained SiGe in Source and Drain with HK and MG for 22 nm Bulk PMOS Transistors 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2017
作者: Wang GL(王桂磊); Ye TC(叶甜春); Henry Homayoun Radamson; Zhao C(赵超); Zhu HL(朱慧珑)
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2018/07/05 |
