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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：化学研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Irreparable Defects Produced by the Patching of h-BN Frontiers on Strongly Interacting Re(0001) and Their Electronic Properties 期刊论文 JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY, 2017, 卷号: 139, 期号: 16, 页码: 5849-5856 作者:  Qi, Yue;  Zhang, Zhepeng;  Deng, Bing;  Zhou, Xiebo;  Li, Qiucheng 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/04/19 Hexagonal Boron Nitride-Graphene Heterostructures: Synthesis and Interfacial Properties 期刊论文 SMALL, 2016, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 32-50 作者:  Li, Qiucheng;  Liu, Mengxi;  Zhang, Yanfeng;  Liu, Zhongfan 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/03/14 Direct growth of large-area graphene and boron nitride heterostructures by a co-segregation method 期刊论文 NATURE COMMUNICATIONS, 2015, 卷号: 6 作者:  Zhang, Chaohua;  Zhao, Shuli;  Jin, Chuanhong;  Koh, Ai Leen;  Zhou, Yu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/04/09 Quasi-Freestanding Monolayer Heterostructure of Graphene and Hexagonal Boron Nitride on Ir(111) with a Zigzag Boundary 期刊论文 NANO LETTERS, 2014, 卷号: 14, 期号: 11, 页码: 6342-6347 作者:  Liu, Mengxi;  Li, Yuanchang;  Chen, Pengcheng;  Sun, Jingyu;  Ma, Donglin 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/04/09 Stm  Graphene  H-bn  In-plane Heterostructure  Boundary Type