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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication technology of Si face and m face on 4H-SiC (0001) epi-layer based on molten KOH etching 期刊论文 FOURTH SEMINAR ON NOVEL OPTOELECTRONIC DETECTION TECHNOLOGY AND APPLICATION, 2018 作者:  Sun, Yu-hua(孙玉华);  Lin, Wen-kui(林文魁);  Zhang, Xuan;  Li, Zhe(李哲);  Yang, Tao-tao(杨涛涛) 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/03/27 Extension, closure and conversion of in-grown stacking faults in 4H-SiC epilayers 期刊论文 Materials Science Forum, 2018 作者:  Zhang, Xuan;  Li, Zhe(李哲);  Ju, Tao(鞠涛);  Zhang, Bao-Shun(张宝顺);  Zhang, Li-Guo(张立国) 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/03/27 Identification of the Structures and Sources of Shockley-Type In-Grown Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers 期刊论文 CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 2018 作者:  Zhang, Bao-Shun(张宝顺);  Zhang, Ze-Hong(张泽红);  Zhang, Li-Guo(张立国);  Li, Zhe;  Zhang, Xuan(张璇) 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2019/03/27