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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of high sensitivity radio-frequency readout circuit based on AlGaN/GaN high electron mobility transistor 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 4 作者:  Zhang, XY(张晓渝);  Tan, RB(谭仁兵);  Sun, JD(孙建东);  Li, XX(李欣幸);  Zhou, Y(周宇) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2015/12/31 radio-frequency circuit  high electron mobility transistor   Room temperature GaN/AlGaN self-mixing terahertz detector enhanced by resonant antennas 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25 作者:  Sun, YF (孙云飞);  Sun, JD (孙建东);  Zhou, Y (周宇);  Tan, RB (谭仁兵);  Zeng, CH (曾春红) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/08/24 aluminium compounds  gallium compounds  high electron mobility transistors  III-V semiconductors  photoconductivity  photodetectors  semiconductor device noise  terahertz wave detectors  wide band gap semiconductors