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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：深圳先进技术研究院    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A 12-bit 1.74-mW 20-MS/s DAC with Resisitor-string and Current- Steering Hybrid Architecture 会议论文 IEEE SOCC2015, Beijing 作者:  Bill Ma;  Qinjin Huang;  Fengqi Yu 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2016/01/27 A Novel 1.2–V 4.5-ppm/°C Curvature-Compensated CMOS Bandgap Reference 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS, 2014 作者:  Bill Ma;  Fengqi Yu 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2015/09/01 A 1.2-V 1.76-ppm/°C low voltage CMOS band-gap reference 期刊论文 Applied Mechanics and Materials, 2013 作者:  Bill Ma;  Fengqi Yu 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2015/08/27