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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2010, 卷号: 256, 期号: 22, 页码: 6881-6886 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Liu, Chao;  Cui, Lijie;  Li, Yanbo 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02 ZnTe  Molecular beam epitaxy  Reflection high-energy electron diffraction  X-ray diffraction  Atomic force microscopy   Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: 7 作者:  Li, Yanbo;  Zhang, Yang;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495 作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Liu, Chao;  Li, Yanbo 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2021/02/02 Reflection high-energy electron diffraction  Atomic force microscopy  Molecular beam epitaxy  Zinc compounds  Semiconducting II-VI materials