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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Doping Concentration Modulation in Vanadium-Doped Monolayer Molybdenum Disulfide for Synaptic Transistors 期刊论文 ACS NANO, 2021, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 7340-7347 作者:  Zou, Jingyun;  Cai, Zhengyang;  Lai, Yongjue;  Tan, Junyang;  Zhang, Rongjie 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2021/10/15 2D materials  molybdenum disulfide  MoS2  vanadium  substitutional doping  synaptic transistor   Dissolution-precipitation growth of uniform and clean two dimensional transition metal dichalcogenides 期刊论文 NATIONAL SCIENCE REVIEW, 2021, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 9 作者:  Cai, Zhengyang;  Lai, Yongjue;  Zhao, Shilong;  Zhang, Rongjie;  Tan, Junyang 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2021/10/15 dissolution-precipitation growth  two dimensional materials  transition metal dichalcogenides  uniform  clean   Vertical Chemical Vapor Deposition Growth of Highly Uniform 2D Transition Metal Dichalcogenides 期刊论文 ACS NANO, 2020, 卷号: 14, 期号: 4, 页码: 4646-4653 作者:  Tang, Lei;  Li, Tao;  Luo, Yuting;  Feng, Simin;  Cai, Zhengyang 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2021/02/02 two-dimensional materials  TMDCs  gaseous sources  VCVD  uniformity  heterostructures   Dual-Additive Assisted Chemical Vapor Deposition for the Growth of Mn-Doped 2D MoS2 with Tunable Electronic Properties 期刊论文 SMALL, 2019, 页码: 9 作者:  Cai, Zhengyang;  Shen, Tianze;  Zhu, Qi;  Feng, Simin;  Yu, Qiangmin 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2021/02/02 doping  dual-additive chemical vapor deposition  electronic properties  field effect transistors  hydrogen evolution reaction  MoS2   Chemical Vapor Deposition Growth and Applications of Two-Dimensional Materials and Their Heterostructures 期刊论文 CHEMICAL REVIEWS, 2018, 卷号: 118, 期号: 13, 页码: 6091-6133 作者:  Cai, Zhengyang;  Liu, Bilu;  Zou, Xiaolong;  Cheng, Hui-Ming 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2021/02/02