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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Carrier Trapping in Wrinkled 2D Monolayer MoS2 for Ultrathin Memory 期刊论文 ACS NANO, 2022, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 6309-6316 作者:  Zhang, Rongjie;  Lai, Yongjue;  Chen, Wenjun;  Teng, Changjiu;  Sun, Yujie 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/09/16    2D materials  monolayer  MoS 2  wrinkles  memory  carrier trapping  conductive AFM   Doping Concentration Modulation in Vanadium-Doped Monolayer Molybdenum Disulfide for Synaptic Transistors 期刊论文 ACS NANO, 2021, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 7340-7347 作者:  Zou, Jingyun;  Cai, Zhengyang;  Lai, Yongjue;  Tan, Junyang;  Zhang, Rongjie 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2021/10/15 2D materials  molybdenum disulfide  MoS2  vanadium  substitutional doping  synaptic transistor   Dissolution-precipitation growth of uniform and clean two dimensional transition metal dichalcogenides 期刊论文 NATIONAL SCIENCE REVIEW, 2021, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 9 作者:  Cai, Zhengyang;  Lai, Yongjue;  Zhao, Shilong;  Zhang, Rongjie;  Tan, Junyang 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/10/15 dissolution-precipitation growth  two dimensional materials  transition metal dichalcogenides  uniform  clean