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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Microdefects and electrical uniformity of InP annealed in phosphorus and iron phosphide ambiances 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 1-7 作者:  Dong, ZY;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Duan, ML;  Sun, WR 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 annealing  defects  etching  semiconducting indium phosphide   Influence of semi-insulating InP substrates on InAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 364-369 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Zeng, YP;  Jiao, JH;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 diffusion  interfaces  substrates  molecular beam epitaxy  phosphides  semiconducting indium phosphide   Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications 期刊论文 CHINESE SCIENCE BULLETIN, 2003, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: 313-314 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Jiao, JH;  Zeng, YP;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 Photoluminescence assessment of undoped semi-insulating InP wafers obtained by annealing in iron phosphide vapour 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2002, 卷号: 17, 期号: 6, 页码: 570-574 作者:  Dong, HW;  Zhao, YW;  Lu, HP;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2021/02/02 Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2002, 卷号: 91, 页码: 521-524 作者:  Zhao, YW;  Sun, NF;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/02/02 indium phosphide  semi-insulating  annealing  PICTS  photoluminescence   Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of Fe in InP 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2002, 卷号: 80, 期号: 16, 页码: 2878-2879 作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Chen, YH;  Zhang, YH;  Jiao, JH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931 作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/02/02 indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion   Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2002, 卷号: 41, 期号: 4A, 页码: 1929-1931 作者:  Zhao, YW;  Dong, HW;  Jiao, JH;  Zhao, JQ;  Lin, LY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2021/02/02 indium phosphide  annealing  semi-insulating  defect  diffusion