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江苏大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
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2019 [1]
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Atomic-layer-deposited (ALD) Al2O3 passivation dependent interface chemistry, band alignment and electrical properties of HfYO/Si gate stacks
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2019, 卷号: 35, 期号: 5, 页码: 769-776
作者:
Liang, Shuang[1]
;
He, Gang[2]
;
Wang, Die[3]
;
Qiao, Fen[4]
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提交时间:2019/12/24
Al2O3 passivation layer
Co-sputtering HYO films
Annealing
Electrical properties
Conduction mechanism
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