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科研机构
大连理工大学 [6]
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期刊论文 [6]
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Plasma passivation of near-interface oxide traps and voltage stability in SiC MOS capacitors
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 125
作者:
Sun, Yunong
;
Yang, Chao
;
Yin, Zhipeng
;
Qin, Fuwen
;
Wang, Dejun
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/02
Interface properties and bias temperature instability with ternary H-Cl-N mixed plasma post-oxidation annealing in 4H-SiC MOS capacitors
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 488, 页码: 293-302
作者:
Yang, Chao
;
Zhang, Fanglong
;
Yin, Zhipeng
;
Su, Yan
;
Qin, Fuwen
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/02
4H-SiC
MOS capacitor
Interface properties
Bias temperature instability
Electron cyclotron resonance
Post-oxidation annealing
Interfacial traps and mobile ions induced flatband voltage instability in 4H-SiC MOS capacitors under bias temperature stress
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2019, 卷号: 52
作者:
Yang, Chao
;
Gu, Zhenghao
;
Yin, Zhipeng
;
Qin, Fuwen
;
Wang, Dejun
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  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/12/02
4H-SiC
MOS capacitor
bias temperature stress
flatband voltage instability
interfacial traps
mobile ions
Passivation effects of phosphorus on 4H-SiC (0001) Si dangling bonds: A first-principles study
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26
作者:
Li, Wenbo
;
Li, Ling
;
Wang, Fangfang
;
Zheng, Liu
;
Xia, Jinghua
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/02
phosphorus passivation
silicon carbide
near interface traps
surface phase diagram
Low temperature synthesis of GaN films on ITO substrates by ECR-PEMOCVD
期刊论文
VACUUM, 2013, 卷号: 92, 页码: 77-80
作者:
Zhao, Yue
;
Qin, Fuwen
;
Bai, Yizhen
;
Ju, Zhenhe
;
Zhao, Yan
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/11
GaN films
ITO substrates
ECR-PEMOCVD
Low-temperature synthesis
Effects of Substrate Pretreatment Conditions on Quality of GaN Epilayer
期刊论文
Semiconductor Photonics and Technology, 2003, 卷号: 9, 页码: 26
作者:
Qin Fuwen
;
Gu Biao
;
Xu Yin
;
Wang Sansheng
;
Yang Dazhi
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/02
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