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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Au层退火温度对ZnO/Au/ZnO多层膜的结构、光学及电学性质的影响 期刊论文 发光学报, 2012, 卷号: 33, 页码: 934-938 作者:  张仕凯;  张宝林;  史志锋;  王辉;  夏晓川 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/13 MOCVD  ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜  射频磁控溅射  退火温度   MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能 期刊论文 发光学报, 2012, 卷号: 33, 页码: 514-518 作者:  史志锋;  伍斌;  蔡旭浦;  张金香;  王辉 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/13 As掺杂  p-ZnO/n-SiC  电致发光  金属有机化学汽相沉积   退火温度对p-ZnO∶P薄膜的电学及发光特性的影响 会议论文 第十二届全国MOCVD学术会议, 厦门, 2012-04-11 作者:  张仕凯;  杜国同;  史志锋;  王辉;  伍斌 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 退火温度  p-ZnO:P  MOCVD  外延生长  实验成本  热扩散  光特性  蓝宝石衬底  掺杂剂  退火工艺   MOCVD法制备p-ZnO/n-SiC异质结器件 会议论文 第十二届全国MOCVD学术会议, 厦门, 2012-04-11 作者:  史志锋;  伍斌;  蔡旭浦;  王辉;  王瑾 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/18 MOCVD  p-ZnO/n-SiC  异质结  发光二极管  扫描电子显微镜  表面形貌  复合发光  电致发光  光致发光  外峰   MOCVD生长中引入光辐照对ZnO纳米柱尺寸的影响 会议论文 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07 作者:  Bin Wu;  伍斌;  史志锋;  Zhifeng Shi;  Xupu Cai 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18 氧化锌纳米柱  尺寸效应  金属有机化学气相沉积  光辐照  异质外延  晶格失配   光辅助MOCVD法制备高质量ZnO薄膜 会议论文 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议, 开封, 2012-11-07 作者:  Zhifeng Shi;  史志锋;  伍斌;  Bin Wu;  Jinxiang Zhang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/18 氧化锌半导体  薄膜制备  金属有机化学气相沉积  光辅助技术  成核密度