×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
重庆大学 [12]
内容类型
期刊论文 [7]
会议论文 [5]
发表日期
2016 [1]
2015 [4]
2014 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共12条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:重庆大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
GeSn Quantum Well P-Channel Tunneling FETs Fabricated on Si(001) and (111) With Improved Subthreshold Swing
期刊论文
2016, 卷号: 37, 页码: 701-704
作者:
Han, Genquan[1]
;
Wang, Yibo[1]
;
Liu, Yan[1]
;
Zhang, Chunfu[1]
;
Feng, Qian[1]
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/11/30
Design of GeSn-Based Heterojunction-Enhanced N-Channel Tunneling FET With Improved Subthreshold Swing and ON-State Current
期刊论文
2015, 卷号: 62, 页码: 1262-1268
作者:
Liu, Mingshan[1]
;
Liu, Yan[1]
;
Wang, Hongjuan[1]
;
Zhang, Qingfang[1]
;
Zhang, Chunfu[2]
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/11/28
Performance improvement in novel germanium-tin/germanium heterojunction-enhanced p-channel tunneling field-effect transistor
期刊论文
2015, 卷号: 83, 页码: 401-410
作者:
Wang, Hongjuan[1]
;
Liu, Yan[1]
;
Liu, Mingshan[1]
;
Zhang, Qingfang[1]
;
Zhang, Chunfu[2]
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2019/11/28
Investigation of performance enhancement in InAs/InGaAs heterojunction-enhanced N-channel tunneling field-effect transistor
期刊论文
2015, 卷号: 88, 页码: 90-98
作者:
Han, Genquan[1,2]
;
Zhao, Bin[1]
;
Liu, Yan[1]
;
Wang, Hongjuan[1]
;
Liu, Mingshan[1]
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/11/28
Relaxed germanium-tin P-channel tunneling field-effect transistors fabricated on Si: impacts of Sn composition and uniaxial tensile strain
期刊论文
2015, 卷号: 5
作者:
Han, Genquan[1,2]
;
Wang, Yibo[1]
;
Liu, Yan[2]
;
Wang, Hongjuan[2]
;
Liu, Mingshan[2]
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2019/11/30
Strained GeSn p-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors With In Situ Si2H6 Surface Passivation: Impact of Sn Composition
期刊论文
2014, 卷号: 61, 页码: 3639-3645
作者:
Liu, Yan[1]
;
Yan, Jing[1]
;
Wang, Hongjuan[1]
;
Zhang, Qingfang[1]
;
Liu, Mingshan[1]
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/11/28
Mobility enhancement in undoped Ge0.92Sn0.08 quantum well p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor fabricated on (111)-oriented substrate
期刊论文
2014, 卷号: 29
作者:
Liu, Yan[1]
;
Yan, Jing[1]
;
Liu, Mingshan[1]
;
Wang, Hongjuan[1]
;
Zhang, Qingfang[1]
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2019/11/28
Strained Ge0.96Sn0.04 P-Channel MOSFETs with In Situ Low Temperature Si2H6 Surface Passivation
会议论文
Singapore, SINGAPORE, JUN 02-04, 2014
作者:
Liu, Yan[1]
;
Yan, Jing[1]
;
Han, Genquan[1]
;
Wang, Hongjuan[1]
;
Liu, Mingshan[1]
收藏
  |  
浏览/下载:0/0
  |  
提交时间:2019/11/28
Germanium-Tin P-channel tunneling field-effect transistors: Impacts of biaxial tensile strain and surface orientation
会议论文
Hsinchu, Taiwan, April 27, 2015 - April 29, 2015
作者:
Wang, Hongjuan[1]
;
Han, Genquan[1,2]
;
Liu, Yan[1]
;
Liu, Mingshan[2]
;
Zhang, Chunfu[2]
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/11/29
Strained Ge0.96Sn0.04 P-channel MOSFETs with in situ low temperature Si2H6 surface passivation
会议论文
Singapore, Singapore, June 2, 2014 - June 4, 2014
作者:
Liu, Yan[1]
;
Yan, Jing[1]
;
Han, Genquan[1]
;
Wang, Hongjuan[1]
;
Liu, Mingshan[1]
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/11/29
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace