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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A low specific on-resistance power trench MOSFET with a buried-interface-drain 期刊论文 2015, 卷号: 85, 页码: 133-138 作者:  Hu, Shengdong[1,2];  Chen, Yinhui[1];  Jin, Jingjing[1];  Zhou, Jianlin[1];  Zhou, Feng[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/28 Improving Breakdown Voltage for a Novel SOI LDMOS with a Lateral Variable Doping Profile on the Top Interface of the Buried Oxide Layer 期刊论文 2015 作者:  Jin, Jingjing[1];  Hu, Shengdong[1,2];  Chen, Yinhui[1];  Tan, Kaizhou[2];  Luo, Jun[2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28