QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Reanalysis of the Higgs boson decay H -> gg up to alpha(6)(s)-order level using the principle of maximum conformality 期刊论文 2018, 卷号: 45 作者:  Zeng, Jun[1];  Wu, Xing-Gang[1];  Bu, Shi[1];  Shen, Jian-Ming[1];  Wang, Sheng-Quan[2] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/28 Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer 期刊论文 2013, 卷号: 30 作者:  Su Shao-Jian[1];  Han Gen-Quan[2];  Zhang Dong-Liang[3];  Zhang Guang-Ze[3];  Xue Chun-Lai[3] 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30