QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 专题：重庆大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of a novel SOI LDMOS using p+ buried islands in the drift region by numerical simulations 期刊论文 2018, 卷号: 17, 页码: 646-652 作者:  Lei, Jianmei[1];  Hu, Shengdong[2];  Yang, Dong[2];  Huang, Ye[2];  Yuan, Qi[2] 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/11/30 Investigation of a novel SOI LDMOS using p plus buried islands in the drift region by numerical simulations 期刊论文 2018, 卷号: 17, 页码: 646-652 作者:  Lei, Jianmei[1];  Hu, Shengdong[2,3];  Yang, Dong[2,3];  Huang, Ye[2,3];  Yuan, Qi[2,3] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/30 A Radiation-Hardened and ESD-Optimized Wireline Driver With Wide Terminal Common-Mode Voltage Range 期刊论文 2018, 卷号: 65, 页码: 566-572 作者:  Xiang, Xun[1];  Gao, Xingguo[2];  Liu, Fan[2,3];  Li, Mingdong[4,5];  Huang, Shalin[4,5] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/11/30 An ultra-low specific on-resistance double-gate trench SOI LDMOS with P/N pillars 期刊论文 2017, 卷号: 112, 页码: 269-278 作者:  Yang, Dong[1,2];  Hu, Shengdong[1,2,3];  Lei, Jianmei[3];  Huang, Ye[1,2];  Yuan, Qi[1,2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28 A novel trench SOI LDMOS with a dual floating vertical field plate 期刊论文 2017, 卷号: 109, 页码: 134-144 作者:  Cheng, Kun[1,2];  Hu, Shengdong[1,2,3];  Lei, Jianmei[3];  Yuan, Qi[1,2];  Jiang, Yuyu[1,2] 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/11/28 Simulation-based performance analysis of an ultra-low specific on-resistance trench SOI LDMOS with a floating vertical field plate 期刊论文 2017, 卷号: 16, 页码: 83-89 作者:  Cheng, Kun[1];  Hu, Shengdong[1,2];  Jiang, Yuyu[1];  Yuan, Qi[1];  Yang, Dong[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/28 Ultra-Low Specific On-Resistance Trench SOI LDMOS with a Floating Lateral Field Plate 期刊论文 2017, 页码: 1-9 作者:  Yang, Dong[1];  Hu, Shengdong[1,2];  Huang, Ye[1];  Jiang, Yuyu[1];  Cheng, Kun[1] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/29 A low specific on-resistance power trench MOSFET with a buried-interface-drain 期刊论文 2015, 卷号: 85, 页码: 133-138 作者:  Hu, Shengdong[1,2];  Chen, Yinhui[1];  Jin, Jingjing[1];  Zhou, Jianlin[1];  Zhou, Feng[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/28 Improve the n-type performance in organic heterojunction transistors by controlling thickness of copper phthalocyanine 期刊论文 2015, 卷号: 70 作者:  Zhou, Jianlin[1];  Shen, Xiaoqing[1];  Wang, Zhen[1];  Hu, Shengdong[1];  Huang, Wei[2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/28 Improving Breakdown Voltage for a Novel SOI LDMOS with a Lateral Variable Doping Profile on the Top Interface of the Buried Oxide Layer 期刊论文 2015 作者:  Jin, Jingjing[1];  Hu, Shengdong[1,2];  Chen, Yinhui[1];  Tan, Kaizhou[2];  Luo, Jun[2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/28