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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of periodicity fluctuations in ingan/gan mqws by the kinematical simulation of x-ray diffraction 期刊论文 Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 4 作者:  Li,Yangfeng;  Die,Junhui;  Yan,Shen;  Deng,Zhen;  Ma,Ziguang 收藏  |  浏览/下载：110/0  |  提交时间：2019/05/09 Xrd  Mqws  Interface roughness   The substantial dislocation reduction by preferentially passivating etched defect pits in gan epitaxial growth 期刊论文 Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 3 作者:   收藏  |  浏览/下载：148/0  |  提交时间：2019/05/09 Gallium nitride  Defect preferential passivation  In situ sinx  Dislocation reduction  Prevention effect   Rectifying behavior in the gan/graded-alxga1?xn/gan double heterojunction structure 期刊论文 Journal of physics d: applied physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 20 作者:   收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/05/09 Rectification  Heterojunction  Polarization