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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of Si doping on the structural and optical properties of InGaN epilayers 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10 Lu, PY; Ma, ZG; Su, SC; Zhang, L; Chen, H; Jia, HQ; Jiang, Y; Qian, WN; Wang, G; Lu, TP; He, M 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/01/16 Si doping  InGaN  V-shaped defect   Development of a dielectric barrier discharge enhanced plasma jet in atmospheric pressure air 期刊论文 PHYSICS OF PLASMAS, 2012, 卷号: 19, 期号: 9 Li, XC; Chang, YY; Jia, PY; Xu, LF; Fang, TZ; Wang, L 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/09/17 One atmospheric pressure plasma jet with two modes at a frequency of several tens kHz 期刊论文 PHYSICS OF PLASMAS, 2011, 卷号: 18, 期号: 4 Li, XC; Jia, PY; Yuan, N; Fang, TZ; Wang, L 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/24