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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Architectural Exploration to Enable Sufficient MTJ Device Write Margin for STT-RAM Based Cache 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2012, 卷号: 48, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 2346-2351 作者:  Sun, Hongbin;  Liu, Chuanyin;  Min, Tai;  Zheng, Nanning;  Zhang, Tong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/10 error correction code  STT-RAM  write margin  fault tolerance  Cache memory   Using Magnetic RAM to Build Low-Power and Soft Error-Resilient L1 Cache 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2012, 卷号: 20, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 19-28 作者:  Sun, Hongbin;  Liu, Chuanyin;  Xu, Wei;  Zhao, Jizhong;  Zheng, Nanning 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/10 reliability  magnetic RAM (MRAM)  soft error  Cache  low power   Design techniques to improve the device write margin for MRAM-based cache memory 会议论文 作者:  Sun, Hongbin;  Liu, Chuanyin;  Zheng, Nanning;  Min, Tai;  Zhang, Tong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/10 Cache architecture  Design technique  Full system simulators  Implementation cost  Magnetic tunneling junctions  Non-volatile memory technology  Processor performance  Research communities