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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nitrogen Buffering Effect on Oxygen in Indium-Tin-Oxide-Capped Resistive Random Access Memory With NH3 Treatment 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015 Chen, Ji; Chang, Kuan-Chang; Chang, Ting-Chang; Tsai, Tsung-Ming; Pan, Chih-Hung; Zhang, Rui; Lou, Jen-Chung; Chu, Tian-Jian; Wu, Cheng-Hsien; Chen, Min-Chen; Hung, Ya-Chi; Syu, Yong-En; Zheng, Jin-Cheng; Sze, Simon M. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 RRAM  nitrogen buffering effect  electric field force  NH3 treatment  SUPERCRITICAL CO2 FLUID  SWITCHING MEMORY  RESISTANCE  IMPROVEMENT  RRAM  MECHANISM  UNIFORMITY  CONDUCTION  DEVICE   Electrical conduction mechanism of Zn:SiOx resistance random access memory with supercritical CO2 fluid process 期刊论文 应用物理学快报, 2013 Chang, Kuan-Chang; Tsai, Tsung-Ming; Zhang, Rui; Chang, Ting-Chang; Chen, Kai-Huang; Chen, Jung-Hui; Young, Tai-Fa; Lou, J. C.; Chu, Tian-Jian; Shih, Chih-Cheng; Pan, Jhih-Hong; Su, Yu-Ting; Syu, Yong-En; Tung, Cheng-Wei; Chen, Min-Chen; Wu, Jia-Jie; Hu, Ying; Sze, Simon M. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/11