×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
北京大学 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
专题:北京大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Pulse stress frequency dependence of negative bias temperature instability in SiON gate transistors
期刊论文
应用物理学快报, 2009
Yang, Jingfeng
;
Yang, Jiaqi
;
Yan, Baoguang
;
Du, Gang
;
Liu, Xiaoyan
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
;
Liao, C. C.
;
Gan, Z. H.
;
Liao, M.
;
Wang, J. P.
;
Wong, W.
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/10
deep levels
dielectric materials
electron traps
insulated gate field effect transistors
interface states
reliability
silicon compounds
NBTI
GENERATION
IMPACT
Anomalous negative bias temperature instability degradation induced by source/drain bias in nanoscale PMOS devices
期刊论文
ieee 纳米技术汇刊, 2008
Yan, Baoguang
;
Yang, Jingfeng
;
Xia, Zhiliang
;
Liu, Xiaoyan
;
Du, Gang
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
;
Liao, C. C.
;
Gan, Zhenghao
;
Liao, Miao
;
Wang, J. P.
;
Wong, Waisum
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/10
energetic hole
interfacial dissociation of Si-H bonds
negative bias temperature instability (NBTI)
source/drain (S/D) bias
TRAP GENERATION
INTERFACE
MODEL
Poststress recovery mechanism of the negative bias temperature instability based on dispersive transport
期刊论文
应用物理学快报, 2007
Yang, Jingfeng
;
Yan, Baoguang
;
Liu, Xiaoyan
;
Han, Ruqi
;
Kang, Jinfeng
;
Liao, C. C.
;
Gan, Z. H.
;
Liao, M.
;
Wang, J. P.
;
Wong, W.
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2015/11/10
INTERFACE
GENERATION
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace