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科研机构
北京大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
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Simulation Study of the Impact of Quantum Confinement on the Electrostatically Driven Performance of n-type Nanowire Transistors
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015
Wang, Yijiao
;
Al-Ameri, Talib
;
Wang, Xingsheng
;
Georgiev, Vihar P.
;
Towie, Ewan
;
Amoroso, Salvatore Maria
;
Brown, Andrew R.
;
Cheng, Binjie
;
Reid, David
;
Riddet, Craig
;
Shifren, Lucian
;
Sinha, Saurabh
;
Yeric, Greg
;
Aitken, Robert
;
Liu, Xiaoyan
;
Kang, Jinfeng
;
Asenov, Asen
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提交时间:2017/12/03
CMOS
electrostatics
nanowire transistors (NWs)
performance
quantum effects
TCAD
STATISTICAL VARIABILITY
INVERSION-LAYERS
GATE
CMOS
GENERATION
ELECTRON
DENSITY
FINFETS
DEVICES
MOSFETS
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