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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A unified charge-based model for SOI MOSFETs applicable from intrinsic to heavily doped channel 期刊论文 Chinese Physics B, 2012 张健; 何进; 周幸叶; 张立宁; 马玉涛; 陈沁; 张勖凯; 杨张; 王睿斐; 韩雨; 陈文新 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 charge-based model  silicon-on-insulator metal-oxide semiconductor field-effect transistors  compact model  double gate