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科研机构
北京航空航天大学 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2016 [1]
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A process-variation-resilient methodology of circuit design by using asymmetrical forward body bias in 28 nm FDSOI
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2016, 卷号: 64, 页码: 26-30
作者:
Wang, Y.
;
Cai, H.
;
Naviner, L. A. B.
;
Zhao, X. X.
;
Zhang, Y.
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提交时间:2019/12/30
Process variation
Variability analysis
Magnetic flip-flop
Asymmetrical forward body bias
FDSOI
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