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半导体研究所 [18]
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期刊论文 [18]
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内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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Comparative Study of SiC Planar MOSFETs With Different p-Body Designs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2020, 卷号: 67, 期号: 3, 页码: 1071-1076
作者:
Weijiang Ni
;
Xiaoliang Wang
;
Miaoling Xu
;
Mingshan Li
;
Chun Feng
;
Hongling Xiao
;
Lijuan Jiang
;
Wei Li
;
Quan Wang
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2021/11/05
Hybrid-gate structure designed for high-performance normally-off p-GaN high-electron-mobility transistor
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 111001
作者:
Di Niu
;
Quan Wang
;
Wei Li
;
Changxi Chen
;
Jiankai Xu
;
Lijuan Jiang
;
Chun Feng
;
Hongling Xiao
;
Qian Wang
;
Xiangang Xu
;
Xiaoliang Wang
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/05/24
Influence of Fe in the buffer layer on the laser lift-off of AlGaN/GaN HEMT film: phenomena and mechanism
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2020, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 095024
作者:
Fen Guo
;
Quan Wang
;
Hongling Xiao
;
Lijuan Jiang
;
Wei Li
;
Chun Feng
;
Xiaoliang Wang
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2021/05/25
Study of Asymmetric Cell Structure Tilt Implanted 4H-SiC Trench MOSFET
期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2019, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 698-701
作者:
Weijiang Ni
;
Xiaoliang Wang
;
Miaolin Xu
;
Quan Wang
;
Chun Feng
;
Honglin Xiao
;
Lijuan Jiang
;
Wei Li
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/07/30
Gate Leakage and Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Fe Delta-Doped Buffer
期刊论文
NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS, 2018, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 185-189
作者:
Meilan Hao
;
Quan Wang
;
Lijuan Jiang
;
Chun Feng
;
Changxi Chen
;
Cuimei Wang
;
Hongling Xiao
;
Fengqi Liu
;
Xiangang Xu
;
Xiaoliang Wang
;
Zhanguo Wang
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/11/15
Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes
期刊论文
phys. status solidi a, 2015, 卷号: 212, 期号: 5, 页码: 1158-1161
He Kang
;
Quan Wang
;
Hongling Xiao
;
Cuimei Wang
;
Lijuan Jiang
;
Chun Feng
;
Hong Chen
;
Haibo Yin
;
Shenqi Qu
;
Enchao Peng
;
Jiamin Gong
;
Xiaoliang Wang
;
Baiquan Li
;
Zhanguo Wang
;
Xun Hou
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2016/03/29
A Novel Multi-Finger Gate Structure of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
期刊论文
chin. phys. lett., 2015, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 58501-58504
Lei Cui
;
Quan Wang
;
XiaoLiang Wang
;
HongLing Xiao
;
CuiMei Wang
;
LiJuan Jiang
;
Chun Feng
;
HaiBo Yin
;
JiaMin Gong
;
BaiQuan Li
;
ZhanGuo Wang
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2016/03/29
Tunable density of two-dimensional electron gas in GaN-based heterostructures The effects of buffer acceptor and channel width
期刊论文
journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 15, 页码: 4507
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Shenqi Qu, He Kang, Xun Hou and Zhanguo Wang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/03/18
Growth and characterization of AlGaNAlNGaNAlGaN double heterojunction structures with AlGaN as buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2013, 卷号: 383, 页码: 25–29
Enchao Peng, Xiaoliang Wang, Hongling Xiao, Cuimei Wang, Haibo Yin, Hong Chen, Chun Feng, Lijuan Jiang, Xun Hou, Zhanguo Wang
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2014/03/18
High performance AlGaNGaN power switch with Si3N4 Insulation
期刊论文
the european physical journal applied physics, 2013, 卷号: 61, 期号: 1, 页码: 10101
Lin, Defeng
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Kang, He
;
Wang, Cuimei
;
Jiang, Lijuan
;
Feng, Chun
;
Chen, Hong
;
Deng, Qingwen
;
Bi, Yang
;
Zhang, Jingwen
;
Hou, Xun
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2014/03/18
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