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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2018 [1]
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专题:半导体研究所
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Anomalously large resistance at the charge neutrality point in a zero-gap InAs_GaSb bilayer
期刊论文
NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2018, 卷号: 20, 页码: 053062
作者:
WYu
;
VClericò
;
CHernándezFuentevilla
;
XShi
;
YJiang
;
DSaha
;
WKLou
;
KChang
;
DHHuang
;
GGumbs
;
DSmirnov
;
CJStanton
;
ZJiang
;
VBellani
;
YMeziani
;
EDiez
;
WPan
;
SDHawkins
;
JFKlem
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提交时间:2019/11/12
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