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科研机构
微电子研究所 [5]
内容类型
外文期刊 [5]
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2006 [3]
2004 [1]
2001 [1]
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内容类型:外文期刊
专题:微电子研究所
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Hole mobility enhancement of pMOSFETs with strain channel induced by ge pre-amorphization implantation for source/drain extension
外文期刊
2006
作者:
Xu, QX
;
Duan, XF
;
Qian, H
;
Liu, HH
;
Li, HO
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/26
Nanoscale strain analysis of strained-Si metal-oxide-semiconductor field effect transistors by large angle convergent-beam electron diffraction
外文期刊
2006
作者:
Liu, HH
;
Duan, XF
;
Qi, XY
;
Xu, QX
;
Li, HO
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/26
Mobility Enhancement
Layer Superlattices
Elastic Relaxation
Specimens
SOI technology for radio-frequency integrated-circuit applications
外文期刊
2006
作者:
Yang, R
;
Qian, H
;
Li, JF
;
Xu, QX
;
Hai, CH
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/26
Rf-cmos
Silicon
Ghz
Characterization of 1.9-and 1.4-nm ultrathin gate oxynitride by oxidation of nitrogen-implanted silicon substrate
外文期刊
2004
作者:
Xu, QX
;
Qian, H
;
Han, ZS
;
Lin, G
;
Liu, M
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Remote Plasma Nitridation
Oxide
Growth
No
The investigation of key technologies for sub-0.1-mu m CMOS device fabrication
外文期刊
2001
作者:
Xu, QX
;
Qian, H
;
Yin, HX
;
Jia, L
;
Ji, HH
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/26
p+-polysilicon Gate
Ge Preamorphization
Thin-films
Oxides
Transformation
Suppression
Resistance
Extension
Salicide
Mosfet
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