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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comprehensive Understanding of Hot Carrier Degradation in Multiple-fin SOI FinFETs 其他 2015-01-01 Jiang, Hai; Yin, Longxiang; Li, Yun; Xu, Nuo; Zhao, Kai; He, Yandong; Du, Gang; Liu, Xiaoyan; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 multi-gate FET  Silicon-on-Insulator  hot carrier  interface charge  oxide charge  reliability  REGIME   Ultrathin oxynitride p-MOSFET recovery characteristics under NBTI stress 其他 2007-01-01 Yandong, He; Mingzhen, Xu; Changhua, Tan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 Application of proportional difference operator method on endurance characteristics study of flash memory 其他 2007-01-01 Xie, Bing; He, Yandong; Xu, Mingzhen; Tan, Changhua 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/12 Study on near-flatband-voltage SILC in ultra-thin plasma nitrided gate oxides 其他 2004-01-01 He, Yandong; Xu, Mingzhen; Tan, Changhua 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 Conductivity to first SBD of a stress induced leakage path in ultrathin thermal oxides 其他 2004-01-01 Xu, Mingzhen; Tan, Changhua; He, Yandong 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 An investigation of endurance characteristic using PDO method in FLOTOX EEPROM structures 其他 2004-01-01 Xie, Bing; He, Yandong; Xu, Mingzhen; Tan, Changhua 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Proportional Difference Method for Determination of the Threshold Voltage and the Effect Inversion Carrier Mobility of an MOSFET 其他 1998-01-01 Mingzhen Xu; Changhua Tan; Yandong He; Bing Xie; Jingyan Wang; Liqi Wang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 Inversion  Carrier  determining  costly  enough  convenient  drain  difficulty  dimensions  operate  Inversion  Carrier  determining  costly  enough  convenient  drain  difficulty  dimensions  operate   An Unified Model to Characterize the Strong Inversion Higfa-Frequency Capacitance in Thin Oxide MOS Structures under Fowler-Nordheim Tunneling Injection Condition 其他 1998-01-01 Bing Xie; Yandong He; Mingzhen Xu; Changhua Tan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 capacitance  Inversion  Injection  Fowler  NMOS  tunneling  PMOS  inversion  unified  Strong  capacitance  Inversion  Injection  Fowler  NMOS  tunneling  PMOS  inversion  unified  Strong