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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Using Satellite Data for the Characterization of Local Animal Reservoir Populations of Hantaan Virus on the Weihe Plain, China (vol 9, 1076, 2017) 其他 2018-01-01 作者:  Yu, Pengbo;  Li, Yidan;  Xu, Bo;  Wei, Jing;  Li, Shen 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/05 Using Satellite Data for the Characterization of Local Animal Reservoir Populations of Hantaan Virus on the Weihe Plain, China (vol 9, 1076, 2017) 其他 2018-01-01 作者:  Yu, Pengbo;  Li, Yidan;  Xu, Bo;  Wei, Jing;  Li, Shen 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/05 Using Satellite Data for the Characterization of Local Animal Reservoir Populations of Hantaan Virus on the Weihe Plain, China (vol 9, 1076, 2017) 其他 2018-01-01 作者:  Yu, Pengbo;  Li, Yidan;  Xu, Bo;  Wei, Jing;  Li, Shen 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/05 Using Satellite Data for the Characterization of Local Animal Reservoir Populations of Hantaan Virus on the Weihe Plain, China (vol 9, 1076, 2017) 其他 2018-01-01 作者:  Yu, Pengbo;  Li, Yidan;  Xu, Bo;  Wei, Jing;  Li, Shen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/05 Investigations on the Physical Understanding of Mobility in MOSFETs - from Drift-Diffusion to Quasi-Ballistic 其他 2008-01-01 Liu, Hongwei; Wang, Runsheng; Huang, Ru; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Transient leakage current technique for MIS HEMT (A12O3/AlGaN/GaN) dielectric semiconductor interface property characterization 其他 2008-01-01 Wen, Cheng P.; Wang, Jinyan; Chen, Hongwei; Hao, Y.L.; Lau, K.M.; Tang, C.W. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/10 Transient Leakage Current Technique for MIS HEMT(Al2O3/AlGaN/GaN)Dielectric Semiconductor Interface Property Characterization 其他 2008-01-01 Jinyan Wang; Hongwei Chen 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 AlGaN  transistor  ferroelectric  instance  junction  leakage  Schottky  irreversible  drain  collapse  AlGaN  transistor  ferroelectric  instance  junction  leakage  Schottky  irreversible  drain  collapse   Transient Leakage Current Technique for MIS HEMT (Al(2)O(3)/AlGaN/GaN) Dielectric Semiconductor Interface Property Characterization 其他 2008-01-01 Wen, Cheng P.; Wang, Jinyan; Chen, Hongwei; Hao, Y. L.; Lau, K. M.; Tang, C. W. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Enhanced device performance of AlGaN/GaN HEMTs using thermal oxidation of electron-beam deposited Aluminum for gate oxide 其他 2008-01-01 Chen, Hongwei; Wang, Jinyan; Xu, Chuan; Yu, Min; Fu, Yang; Dong, Zhihua; Xu, Fujun; Hao, Yilong; Wen, Cheng P. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/11/13 AlGaN/GaN MOS-HEMTs  leakage current  thermal oxidation  electron-beam evaporation  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  AL2O3   Perceived spatial separation induced by the precedence effect releases chinese speech from informational masking 其他 2004-01-01 Chen, Jing; Wang, Chun; Qu, Hongwei; Li, Wenrui; Wu, Yanhong; Wu, Xihong; Bruce, A. Schneider; Li, Liang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13