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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文 作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/08/20 Heavy ion irradiation  Single event upset  Active delay element  SRAM cell  Radiation hardened  Silicon-on-insulator   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Su, Hong;  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Huang, Yun 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Tianqi;  Ji, CY;  En, YF;  Huang, Yun;  En, Yunfei 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Tianqi;  Geng, Chao;  Zhang, Zhangang;  Zhao, Fazhan;  Hou, Mingdong 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Jie;  Sun, Youmei;  Tong, Teng;  Zhao, Fazhan;  Zhang, Zhangang 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   Recent progress in relativistic many-body approach 会议论文 作者:  Ban, S. F.;  Geng, L. S.;  Liu, L.;  Long, W. H.;  Meng, J. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2018/08/20