QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-voltage band-gap reference circuit 专利 申请日期: 2015-01-01, 作者:  CHEN JUNNING;  QI YING;  TAN SHOUBIAO;  LI ZHENGPING;  WU XIULONG 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/19 System and method for fabricating efficient semiconductor lasers via use of precursors having a direct bond between a group III atom and a nitrogen atom 专利 专利号: US6934312, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23 作者:  TAKEUCHI, TETSUYA;  TAN, MICHAEL;  CHANG, YING-IAN 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Method and apparatus for improving temperature performance for GaAsSb/GaAs devices 专利 专利号: US20040161005A1, 申请日期: 2004-08-19, 公开日期: 2004-08-19 作者:  BOUR, DAVID P.;  TAN, MICHAEL R.T.;  CHANG, YING-LAN 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/31 Long-wavelength photonic device with GaAsSb quantum-well layer 专利 专利号: US6711195, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23 作者:  CHANG, YING-LAN;  CORZINE, SCOTT W.;  DUPUIS, RUSSELL D.;  NOH, MIN SOO;  RYOU, JAE HYUN 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride(InGaAsN) active region 专利 专利号: US20030211647A1, 公开日期: 2003-11-13 作者:  BOUR, DAVID P.;  TAKEUCHI, TETSUYA;  TANDON, ASHISH;  CHANG, YING-LAN;  TAN, MICHAEL R.T. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26