QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 专利 专利号: CN100418240C, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10 作者:  谢自力;  张荣;  韩平;  刘成祥;  周圣明 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26