QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 其上具有半导体器件的单晶氧化物的生长方法 专利 专利号: CN100359648C, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2008-01-02 作者:  李浩;  拉温德拉纳特・德罗帕德;  丹・S・马歇尔;  魏义;  小・M・胡 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26