×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [15]
北京航空航天大学 [1]
浙江工商大学 [1]
内容类型
专利 [17]
发表日期
2012 [1]
2006 [6]
2005 [5]
2003 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共17条,第1-10条
帮助
限定条件
内容类型:专利
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
获取基于SaaS的交互式程序的交互强度的方法
专利
申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-04-03
作者:
胡春明
;
柴琛林
;
李建欣
;
康俊彬
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2020/01/06
在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
尹志岗
收藏
  |  
浏览/下载:84/5
  |  
提交时间:2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
收藏
  |  
浏览/下载:82/0
  |  
提交时间:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
收藏
  |  
浏览/下载:82/4
  |  
提交时间:2009/06/11
一种制备三元高K栅介质材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
李艳丽
;
陈诺夫
;
刘立峰
;
尹志刚
;
杨菲
;
柴春林
收藏
  |  
浏览/下载:127/9
  |  
提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
收藏
  |  
浏览/下载:78/2
  |  
提交时间:2009/06/11
低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延
;
刘志凯
;
柴春林
;
陈诺夫
;
王占国
收藏
  |  
浏览/下载:61/8
  |  
提交时间:2009/06/11
一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
杨少延
;
刘志凯
;
柴春林
;
蒋渭生
收藏
  |  
浏览/下载:42/0
  |  
提交时间:2009/06/11
磁控溅射方法制备碳化硅薄膜工艺
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
尹志岗
收藏
  |  
浏览/下载:132/2
  |  
提交时间:2009/06/11
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace