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一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者:  彭朝阳;  刘新宇;  刘国友;  李诚瞻;  汤益丹
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一种用于核电站的三通构件内壁面温度测量系统及方法 专利
申请日期: 2016-11-09,
作者:  凌君;  何大宇;  刘洪涛;  章贵和;  孟阿军
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/26
一种承重结构用木质工程材 专利
申请日期: 2014-12-03, 公开日期: 2014-12-03
作者:  周先雁;  戴桂华;  冯新;  刘泽亚;  张建军
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