QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利 专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18 作者:  彭朝阳;  刘新宇;  刘国友;  李诚瞻;  汤益丹 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/03/07 防止钝化层过刻蚀的方法 专利 专利号: CN201110284796.4, 申请日期: 2015-11-04, 公开日期: 2013-04-03 作者:  李博;  白云;  唐益丹;  刘焕明;  周静涛 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/10/25