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Method for a GAN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL) 专利
专利号: US20150303655A1, 申请日期: 2015-10-22, 公开日期: 2015-10-22
作者:  HAN, JUNG;  LIN, CHIA-FENG;  CHEN, DANTI
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LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer 专利
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者:  CHEN, ZHEN
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LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate 专利
专利号: US8865565, 申请日期: 2014-10-21, 公开日期: 2014-10-21
作者:  CHEN, ZHEN
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Buffer Layer for GaN-on-Si LED 专利
专利号: US20130056745A1, 申请日期: 2013-03-07, 公开日期: 2013-03-07
作者:  CHEN, ZHEN
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N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers 专利
专利号: US20130032836A1, 申请日期: 2013-02-07, 公开日期: 2013-02-07
作者:  CHEN, ZHEN;  FU, YI
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Growing a low defect gallium nitride based semiconductor 专利
专利号: US20020075925A1, 申请日期: 2002-06-20, 公开日期: 2002-06-20
作者:  WANG, SHIH-YUAN;  CHEN, YONG
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Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen 专利
专利号: DE19905516A1, 申请日期: 1999-12-09, 公开日期: 1999-12-09
作者:  CHEN CHANGHUA;  GOETZ WERNER;  KERN R. SCOTT;  KUO CHIHPING
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Protection for the epitaxial structure of metal devices 专利
专利号: WO2008045886A3, 公开日期: 2008-04-17
作者:  FAN, FENG-HSU;  DOAN, TRUNG TRI;  TRAN, CHUONG ANH;  CHU, CHEN-FU;  CHENG, CHAO-CHEN
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GaN single-crystal substrate, nitride type semiconductor epitaxial substrate, nitride type semiconductor device, and methods of making the same 专利
专利号: US20030209185A1, 公开日期: 2003-11-13
作者:  UENO, MASAKI;  TAKASUKA, EIRYO;  CHUA, SOO-JIN;  CHEN, PENG
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