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科研机构
西安光学精密机械研究... [9]
内容类型
专利 [9]
发表日期
2015 [2]
2014 [1]
2013 [2]
2002 [1]
1999 [1]
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内容类型:专利
专题:西安光学精密机械研究所
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第一作者单位
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Method for a GAN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
专利
专利号: US20150303655A1, 申请日期: 2015-10-22, 公开日期: 2015-10-22
作者:
HAN, JUNG
;
LIN, CHIA-FENG
;
CHEN, DANTI
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/31
LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer
专利
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者:
CHEN, ZHEN
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate
专利
专利号: US8865565, 申请日期: 2014-10-21, 公开日期: 2014-10-21
作者:
CHEN, ZHEN
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/24
Buffer Layer for GaN-on-Si LED
专利
专利号: US20130056745A1, 申请日期: 2013-03-07, 公开日期: 2013-03-07
作者:
CHEN, ZHEN
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/30
N-type gallium-nitride layer having multiple conductive intervening layers
专利
专利号: US20130032836A1, 申请日期: 2013-02-07, 公开日期: 2013-02-07
作者:
CHEN, ZHEN
;
FU, YI
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/30
Growing a low defect gallium nitride based semiconductor
专利
专利号: US20020075925A1, 申请日期: 2002-06-20, 公开日期: 2002-06-20
作者:
WANG, SHIH-YUAN
;
CHEN, YONG
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/31
Verfahren zum Umgehen mit Belastungen und zum Steuern von Verunreinigungen in III-V-Nitrid-Halbleiterfilmen und optoelektronischen Bauelementen
专利
专利号: DE19905516A1, 申请日期: 1999-12-09, 公开日期: 1999-12-09
作者:
CHEN CHANGHUA
;
GOETZ WERNER
;
KERN R. SCOTT
;
KUO CHIHPING
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/31
Protection for the epitaxial structure of metal devices
专利
专利号: WO2008045886A3, 公开日期: 2008-04-17
作者:
FAN, FENG-HSU
;
DOAN, TRUNG TRI
;
TRAN, CHUONG ANH
;
CHU, CHEN-FU
;
CHENG, CHAO-CHEN
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
GaN single-crystal substrate, nitride type semiconductor epitaxial substrate, nitride type semiconductor device, and methods of making the same
专利
专利号: US20030209185A1, 公开日期: 2003-11-13
作者:
UENO, MASAKI
;
TAKASUKA, EIRYO
;
CHUA, SOO-JIN
;
CHEN, PENG
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
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