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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 相变存储器驱动电路及方法 专利 专利号: 201310174829.9, 申请日期: 2017-10-03, 作者:  程国胜;  王龙;  孔涛;  卫芬芬;  黄荣;  张杰 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2018/02/28 相变存储器的加热电极及其制备方法 专利 专利号: 201310300397.1, 申请日期: 2017-05-03, 作者:  程国胜;  王龙;  孔涛;  卫芬芬;  黄荣;  张杰 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2018/02/28 一种相变存储单元及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN103794721B, 申请日期: 2017-01-04, 作者:  孔涛;  黄荣;  张杰;  卫芬芬;  程国胜 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2017/03/13 一种成分可调的三元(Sb1-xBix)2Se3 纳米线的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN103540999B, 申请日期: 2016-04-27, 作者:  程国胜;  黄荣;  孔涛;  卫芬芬;  张杰 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/13 相变存储器驱动电路及置位和复位方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN103093816B, 申请日期: 2015-08-05, 作者:  程国胜;  王龙;  孔涛;  卫芬芬;  黄荣 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/11/25 一种新型相变存储单元结构 专利 专利类型: 实用新型, 专利号: CN204118135U, 申请日期: 2015-01-21, 作者:  程国胜;  卫芬芬;  孔涛;  张杰;  黄荣 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/11/25 多功能集成的纳米线阵列制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102358615B, 申请日期: 2014-04-16, 作者:  程国胜;  孔涛;  苏瑞巩;  张琦;  黄荣 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2015/11/25