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科研机构
新疆理化技术研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2012 [1]
2011 [4]
2009 [2]
学科主题
Physics [7]
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学科主题:Physics
专题:新疆理化技术研究所
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Use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 7, 页码: -
作者:
Xi Shan-Bin
;
Lu Wu
;
Wang Zhi-Kuan
;
Ren Di-Yuan
;
Zhou Dong
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2012/11/29
subthreshold-current technique
gate control
lateral pnp bipolar transistor
charge separation
Effects of orientation of substrate on the enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) in NPN transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 169-173
作者:
Lu Wu
;
Zheng Yu-Zhan
;
Wang Yi-Yuan
;
Ren Di-Yuan
;
Guo Qi
收藏
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浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2012/11/29
NPN bipolar junction transistors
(60)Co-gamma irradiation
ELDRS
orientation of substrate
Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6
作者:
Gao Bo
;
Yu Xue-Feng
;
Ren Di-Yuan
;
Cui Jiang-Wei
;
Lan Bo
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2012/11/29
p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
Co-60 gamma-ray
total-dose irradiation damage effects
enhanced low dose rate sensitivity
Degradation and dose rate effects of bipolar linear regulator on ionizing radiation
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 9, 页码: -
作者:
Wang Yi-Yuan
;
Lu Wu
;
Ren Di-Yuan
;
Guo Qi
;
Yu Xue-Feng
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/11/29
bipolar linear regulators
total ionizing dose
dose rate effect
radiation damage
Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 3
作者:
Gao Bo
;
Yu Xue-Feng
;
Ren Di-Yuan
;
Li Yu-Dong
;
Cui Jiang-Wei
收藏
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浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2012/11/29
(60)Co gamma
total-dose irradiation damage effects
SRAM-based FPGA
CMOS cell
Characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 8, 页码: 5572-5577
作者:
Zheng Yu-Zhan
;
Lu Wu
;
Ren Di-Yuan
;
Wang Yi-Yuan
;
Guo Qi
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/11/29
emitter area
domestic npn transistors
dose rate
radiation damage
ELDRS and dose-rate dependence of vertical NPN transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 47-49
作者:
Zheng Yu-Zhan
;
Lu Wu
;
Ren Di-Yuan
;
Wang Gai-Li
;
Yu Xue-Feng
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/11/29
bipolar junction transistor
ELDRS effect
dose-rate dependence
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