QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total ionizing dose effect on 0.18 mu m narrow-channel NMOS transistors 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 13 作者:  Wu Xue;  Lu Wu;  Wang Xin;  Xi Shan-Bin;  Guo Qi 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/11/07 0.18 mu m  narrow-channel NMOS transistor  60Co gamma  RINCE   Theorical model of enhanced low dose rate sensitivity observed in p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 6 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Cui Jiang-Wei;  Lan Bo 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/11/29 p-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor  Co-60 gamma-ray  total-dose irradiation damage effects  enhanced low dose rate sensitivity   PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究 期刊论文 核技术, 2011, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 452-456 作者:  李明;  余学峰;  卢健;  高博;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/11/29 PDSOI  SRAM  总剂量效应  功耗电流  退火效应   Degradation and dose rate effects of bipolar linear regulator on ionizing radiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 9, 页码: - 作者:  Wang Yi-Yuan;  Lu Wu;  Ren Di-Yuan;  Guo Qi;  Yu Xue-Feng 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/11/29 bipolar linear regulators  total ionizing dose  dose rate effect  radiation damage   Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 3 作者:  Gao Bo;  Yu Xue-Feng;  Ren Di-Yuan;  Li Yu-Dong;  Cui Jiang-Wei 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/11/29 (60)Co gamma  total-dose irradiation damage effects  SRAM-based FPGA  CMOS cell   Characteristics of high- and low-dose-rate damage for domestic npn transistors of various emitter areas 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2009, 卷号: 58, 期号: 8, 页码: 5572-5577 作者:  Zheng Yu-Zhan;  Lu Wu;  Ren Di-Yuan;  Wang Yi-Yuan;  Guo Qi 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/11/29 emitter area  domestic npn transistors  dose rate  radiation damage   ELDRS and dose-rate dependence of vertical NPN transistor 期刊论文 CHINESE PHYSICS C, 2009, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 47-49 作者:  Zheng Yu-Zhan;  Lu Wu;  Ren Di-Yuan;  Wang Gai-Li;  Yu Xue-Feng 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 bipolar junction transistor  ELDRS effect  dose-rate dependence