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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Applied     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Phase Change Memory Cell Using Si2Sb2Te3 Material 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 80212-80212 Ren, K; Rao, F; Song, ZT; Wu, LC; Zhou, XL; Liu, B; Feng, SL; Xi, W; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 SB2TE3  FILMS  ALLOYS   Sn12Sb88 material for phase change memory 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 32105-32105 Rao, F; Song, ZT; Ren, K; Li, XL; Wu, LC; Xi, W; Liu, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 ANTIMONY  STORAGE  FILMS   Si2Sb2Te6 Phase Change Material for Low-Power Phase Change Memory Application 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2009, 卷号: 2, 期号: 9, 页码: 91401-91401 Zhou, XL; Wu, LC; Song, ZT; Rao, F; Liu, B; Yao, DN; Yin, WJ; Li, JT; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY   Germanium nitride interfacial layer for chalcogenide random access memory applications 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2008, 卷号: 1, 期号: 1, 页码: 11201-11201 Shen, J; Liu, B; Song, Z; Xu, C; Rao, F; Liang, S; Feng, S; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 CHANGE OPTICAL DISK  PHASE-CHANGE MEMORY  GE2SB2TE5 FILM  HIGH-DENSITY  DEVICE   Phase change memory cell using tungsten trioxide bottom heating layer 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 92, 期号: 22, 页码: 223507-223507 Rao, F; Song, ZT; Gong, YF; Wu, LC; Liu, B; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/03/24 Performance improvement of phase-change memory cell with cup-shaped bottom electrode contact 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: 103107-103107 Wu, LC; Song, ZT; Rao, F; Gong, YF; Liu, B; Wang, LY; Liu, WL; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 CRYSTALLIZATION  GE2SB2TE5  STORAGE  MEDIA   Investigation on the stabilization of the median resistance state for phase change memory cell with doublelayer chalcogenide films 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 12, 页码: 123511-123511 Rao, F; Song, ZT; Wu, LC; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS   Multilevel data storage characteristics of phase change memory cell with douhlelayer chalcogenide films (Ge(2)Sh(2)Te(5) and Sb2Te3) 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 1-3, 页码: L25-L27 Rao, F; Song, ZT; Zhong, M; Wu, LC; Feng, GM; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2012/03/24 GE2SB2TE5 FILMS  COMPOSITES  RESISTANCE   High speed chalcogenide random access memory based on Si2Sb2Te5 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS, 2007, 卷号: 46, 期号: 8-11, 页码: L247-L249 Zhang, T; Song, ZT; Rao, F; Feng, GM; Liu, B; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 PHASE-CHANGE MEMORY  DEVICE  FILMS   Phase change memory cell with an upper amorphous nitride silicon germanium heating layer 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: 73505-73505 Rao, F; Song, ZT; Wu, LC; Zhong, M; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  THIN-FILMS  CRYSTALLIZATION  CONDUCTION  SEPARATION